銅柱凸塊 Copper Pillar Bump
銅柱凸塊的精細凸塊間距可以達到小至50微米，因此提高了Flipchip在載板及模組的封裝能力。而無鉛凸塊（SnAg1.8％）則可以滿足RoHS和綠色產品要求。
Raytek 提供
- 微小到40 um間距，25 um凸塊尺寸銅柱凸塊是可用的，高達150 um間距也是可行的。
- 銅柱凸塊高度可高達75 um, 樣品打樣可達135 um。
- Polyimide 200℃低溫固化特性，避免記憶體芯片電性延遲性受損。
- 提供高溫375℃ polyimide，可用於邏輯芯片。
- 銅柱凸塊結構可提供Cu / SnAg和Cu / Ni / SnAg 兩者成分。
- 提供Polyimide pull in 及 pull out兩種設計，擴大Al墊開口設計的靈活性。
| Products | Cu Pillar | Cu Pillar Bump | Lead Free Bump | Cu RDL + LFB |
|---|---|---|---|---|
| PI | 5 um | 5 um | 5 um | 5 um |
| PVD1 Ti/Cu | 0.1/0.2 um | 0.1/0.2 um | 0.1/0.5 um | RDL 0.1/0.2 um UBM 0.1/0.5 um |
| ECD Cu | 65 ~ 2 um | 35 ~ 7 um | - | 3 um RDL |
| ECD Ni | - | 3 um | 3 um | 3 um |
| ECD SnAg(1.8%) | - | 35 ~15 um | ≦100 um | ≦100 um |
| Symbol | Description | Design Rule |
|---|---|---|
| A | Bump size (PI1:HD4104) | Min. 35 um |
| Bump size (PI1:BM300) | Min. 45 um | |
| B | Bump space | Min. 15 um |
| C | Bump pitch (PI1:HD4104) | Min. 50 um |
| Bump pitch (PI1:BM300) | Min. 60 um | |
| D | Bump edge to PI1 opening | Min. 7.5um |
| E | Bump edge to die edge | Min. 50 um |
| F | Cu post height | ≦ Bump Size |
| G | Solder cap height | ≦1/2 Bump Size |
| H | PI1 to PSV overlap | Min. 5 um |
| I | PI1 width | Min. 35 um |
| J | PI1 opening (PI1:HD4104) | Min. 20 um |
| PI1 opening (PI1:BM300) | Min. 30 um | |
| K | PSV opening (PI1:HD4104) | Min. 30 um |
| PSV opening (PI1:BM300) | Min. 40 um | |
| L | Bump height (before reflow) | Max. 60 um |
| Bump height (after reflow) | Max. 75 um | |
| Fuse exposure | Not allow | |
| Bump plating ratio | 1.47~88.38 % (Machine Limit) |
Cu pillar Bump Process Flow
